На конференции IEDM 2023 в декабре, Micron объявила о разработке и использовании кристалла памяти FeRAM большой емкости. Память FeRAM выпускается уже около 20 лет, но традиционно это были чипы малой емкости от 8 до 128 Мбит. На этом фоне разработка Micron с емкостью кристалла 32 Гбит вызывает удивление, что сопоставимо с появлением новых энергонезависимых запоминающих устройств.
Память FeRAM работает быстрее, чем NAND-память. По этому показателю она близка к DRAM-RAM. В то же время чипы FeRAM, как и другие энергонезависимые запоминающие устройства, сохраняют заряд в ячейках даже без источника питания. Память FeRAM также более износостойкая, что, в свою очередь, делает ее предпочтительной для использования в устройствах хранения данных. Ведь FeRAM не боится радиации, магнитных полей и температурных колебаний, что предопределило ее судьбу в станках, приборах и бортовых устройствах аэрокосмической промышленности.
Несмотря на свои многочисленные преимущества, память FeRAM не стала массовым явлением. Плотность ячеек у нее очень, очень низкая, а объемная память NAND с кристаллами огромной емкости не оставила FeRAM никаких шансов проникнуть в пространство для хранения данных.
Высокопроизводительные чипы FeRAM продвинут разработку генерирующих моделей для искусственного интеллекта, утверждает Micron. Они работают быстрее, чем NAND, и обладают огромной износостойкостью. Опытный чип Micron может выдержать до 1015 циклов перезаписи. Это на несколько порядков выше, чем у конкурирующих чипов FeRAM от Fujitsu, Infineon, SK Hynix и Toshiba, не говоря уже о жалких тысячах циклов, когда речь заходит об износостойкости чипов NAND.
Компания называет новую память NVDRAM (энергонезависимая динамическая память с произвольным доступом). Очевидно, она не решилась назвать это NVRAM, чтобы ее FeRAM не путали с другими типами энергонезависимой памяти.
Заявленная компанией скорость записи для чипов FeRAM составляет 70-120 нс, в то время как циклы записи в NAND приближаются к 300 мкс. Время хранения данных в памяти FeRAM (заряд в ячейке) составляет 10 лет.
(Источник: https://technewsspace.com/micron-has-secretly-developed-a-32gbit-feram-chip-an-indestructible-non-volatile-memory-with-dram-like-speed/)